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贤言荟语第259期 芯冠:专研半导体高新技术,比肩国际先进水平
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关 键 词:科技计划项目|芯冠
文章分类: 新闻资讯
更新日期:2020/08/17

关于征集2021年大连市第一批科技计划项目指南建议的补充通知

市直有关部门,区市县(先导区)科技管理部门,在连高校科研院所,有关企事业单位:

2020年7月31日,市科技局分别在大连市科技局官方网站和大连市科技项目管理信息平台公开发布了《关于征集2021年大连市第一批科技计划项目指南建议的通知》。通知要求,各单位需通过各业务处室邮箱报送电子版指南建议征集表。报送时间为:2020年7月31日至2020年8月30日截止。

为规范项目管理流程,方便各单位开展2021年项目申报等后续工作,经过系统调试,实现了网络申报功能。现决定2021年科技计划项目指南建议征集统一通过大连市科技项目管理信息平台申报,各业务处室邮箱不再受理。报送时间不变。

具体操作流程:登录(注册)大连市科技项目管理信息平台(网址:http://124.93.228.125:8080/kjjpm/user/login.html),点选“指南征集”选项,在线填报,按领域提交至市科技局相关业务处室。企业需求可直接提交,高校、科研院所经所属科研部门审核后统一提交。

技术支持:张俊华  18340837680

“向新生”惠企行动——企业观察日志68

芯冠:专研半导体高新技术,比肩国际先进水平

大连芯冠科技有限公司成立于2016年,是一家由海外归国团队创立的国家级高新技术企业,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

芯冠已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年芯冠在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。公司已与国内多家半导体功率器件及下游电源厂商展开深入合作,开发基于氮化镓器件的新一代各类电源产品,包括新能源汽车车载充电机、数据中心服务器电源和高端电机驱动等。

GaN材料优势:宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率、耐高温、抗辐射。

GaN/Si器件优势:高功率密度、高电流密度、高击穿电压、高工作频率、特殊应用环境、成本低、易于产业化。

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